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      径向温度梯度不引起单晶材料位错的条件

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      径向温度梯度不引起单晶材料位错的条件

      发布日期:2019-12-17 00:00 来源:http://www.miniao518.com 点击:

      径向温度梯度不引起位错产生的条件为:在实际的晶体生长中,由于A1203材料熔点很高,为了获得足够的化料温度和维持较高的正常的晶体生长温度,热场设计的都比较紧凑,外界条件的波动往往造成温度梯度的不稳定变化。同时,实际生长晶体中坩埚与晶体的直径比例一般都不太合理(如生长Φ50mm晶体使用Φ80mm坩埚),这样也造成了大的温度梯度。同时由于熔体中不规则热对流的存在,造成了晶体生长速率的微观起伏,从而也影响晶体的完整性。

      所以目前国内外还都没有像硅单晶那样能制备出无位错的蓝宝石单晶。为了降低晶体缺陷和有利于杂质的挥发(较大的熔体自由表面)适当加大坩埚直径,控制比较合理的坩埚与晶体直径比是至关重要的。为此,应当在现有基础上改进热场设计,以期降低位错密度。

      结果发现,用熔融的KOH在290℃腐蚀15min效果Z佳。

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